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ROHM開發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動(dòng)汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，...
2019-09-24查看更多 -
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ROHM開發(fā)出支持大型、小型兩種車載液晶面板的6通道LED驅(qū)動(dòng)器
＜要旨＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）面向汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、綜合信息顯示系統(tǒng)及儀表盤，開發(fā)出液晶背光用LED驅(qū)動(dòng)器IC “BD81A76EFV-M”。BD81A76EFV-M 是一款支持12英寸級(jí)液晶面板的6通道輸出（120mA/ch）車載液晶背光用LED驅(qū)動(dòng)器IC。以往的4通道輸出產(chǎn)品只能支持到8英寸級(jí)的液晶面板應(yīng)用，而本產(chǎn)品可支持10～12英寸級(jí)的更大應(yīng)用。同時(shí)，新產(chǎn)品還...
2019-09-03查看更多 -
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ROHM面向車載系統(tǒng)開發(fā)出200V耐壓肖特基勢壘二極管 “RBxx8BM/NS200”
2019年8月27日全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向包括xEV在內(nèi)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車載系統(tǒng)，開發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2（以下簡稱“SBD”） “RBxx8BM200” “RBxx8NS200”。RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品是可在高溫環(huán)境下工作的超低IRSBD，已經(jīng)在日本國內(nèi)的汽車市場取得非常優(yōu)異的業(yè)績。此次，利...
2019-08-27查看更多 -
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ROHM開發(fā)出確保安裝可靠性的車載用超小型MOSFET“RV4xxx系列”
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，是確保車規(guī)級(jí)品質(zhì)的高可靠性產(chǎn)品。另外，產(chǎn)品采用了ROHM獨(dú)有的封裝加工技術(shù)，非常有助于對(duì)品質(zhì)要求高的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）攝像頭模塊等汽車電子的小型化。RV4xxx系列...
2019-07-23查看更多 -
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羅姆榮獲歌爾頒發(fā)的聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆近日榮獲歌爾股份有限公司（以下簡稱“歌爾”）頒發(fā)的“聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)”。該獎(jiǎng)項(xiàng)是為了表彰積極開展與歌爾的聯(lián)合創(chuàng)新，助力歌爾打造差異化競爭優(yōu)勢的供應(yīng)商。羅姆因在傳感器模組等領(lǐng)域與歌爾進(jìn)行聯(lián)合開發(fā)、持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新業(yè)績突出而獲此殊榮。羅姆與歌爾在分立半導(dǎo)體、IC方面的合作超過十年，在客戶戰(zhàn)略上高度協(xié)同一致，聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新開發(fā)實(shí)現(xiàn)共贏...
2019-07-18查看更多 -
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ROHM開發(fā)出節(jié)能優(yōu)勢顯著的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD83070GWL”
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備，開發(fā)出一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器*1)“BD83070GWL”，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了超高效率和超低消耗電流?！癇D83070GWL”是面向小型電池驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)備，以“低功耗環(huán)保元器件的標(biāo)桿版”為目標(biāo)開發(fā)而成的超低功耗升降壓型電源IC。產(chǎn)品內(nèi)置低損耗的MOSFET，并配置低耗電消...
2019-07-11查看更多
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