ROHM開(kāi)發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車的充電站等。
此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。
另外，羅姆也已開(kāi)始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT3040KR-EVK-001”，該評(píng)估板中配置有非常適用于SiC元器件的驅(qū)動(dòng)的ROHM柵極驅(qū)動(dòng)器IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及分立產(chǎn)品，可為客戶提供輕松進(jìn)行元器件評(píng)估的解決方案。
本系列產(chǎn)品已于2019年8月起以月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)的規(guī)模逐步投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格2,100日元起，不含稅）。生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡）。此外，本系列產(chǎn)品和評(píng)估板已于2019年9月起開(kāi)始網(wǎng)售，可從AMEYA360、icHub購(gòu)買。
近年來(lái)，隨著AI和IoT的發(fā)展與普及，對(duì)云服務(wù)的需求日益增加，與此同時(shí)，在全球范圍對(duì)數(shù)據(jù)中心的需求也隨之增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)中心所使用的服務(wù)器正在向大容量、高性能方向發(fā)展，而如何降低功耗量就成為一個(gè)亟需解決的課題。另一方面，以往服務(wù)器的功率轉(zhuǎn)換電路中，主要采用的是硅（Si）元器件，如今，損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特別是采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET，與以往封裝相比，可降低開(kāi)關(guān)損耗，因此有望應(yīng)用于服務(wù)器、基站、太陽(yáng)能發(fā)電等高輸出應(yīng)用中。
2015年，ROHM于全球第一家成功實(shí)現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。此次新開(kāi)發(fā)出650V／1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET，未來(lái)也會(huì)繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新型元器件的開(kāi)發(fā)，同時(shí)提供包括非常適用于SiC驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)器IC等在內(nèi)的解決方案，為進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗貢獻(xiàn)力量。
＜特點(diǎn)＞
采用4引腳封裝（TO-247-4L），開(kāi)關(guān)損耗降低約35％
在傳統(tǒng)的3引腳封裝（TO-247N）中，源極引腳的電感分量※2）會(huì)引起柵極電壓下降，并導(dǎo)致開(kāi)關(guān)速度延遲。
此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引腳封裝（TO-247-4L），可以分離電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳，因此，可減少電感分量的影響。這樣，能夠充分地發(fā)揮出SiC MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能，尤其是可以顯著改善導(dǎo)通損耗。與以往產(chǎn)品相比，導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來(lái)預(yù)計(jì)可降低約35％的損耗。
