ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列” ～損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67％，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設(shè)備功耗～

更新時間：2021-07-08 | 發(fā)布人：

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101*1”。該產(chǎn)品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車（xEV）中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、以及太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等處理大功率的汽車電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。

Hybrid IGBT RGWxx65C系列

近年來，在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在經(jīng)歷技術(shù)變革。

ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅(qū)動IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。此次，開發(fā)了能夠為普及中的車載、工業(yè)設(shè)備提供更高性價比的Hybrid IGBT。

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導通時的開關(guān)損耗（以下稱“開通損耗”*3）。在車載充電器中采用本產(chǎn)品時，與以往IGBT產(chǎn)品相比，損耗可降低67％，與超級結(jié)MOSFET （SJ-MOSFET）相比，損耗可降低24％，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應用的功耗。

新產(chǎn)品已于2021年3月開始出售樣品（樣品價格：1,200日元/個，不含稅），預計將于2021年12月起暫以月產(chǎn)2萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外，在ROHM官網(wǎng)上還免費提供評估和導入本系列產(chǎn)品所需的豐富設(shè)計數(shù)據(jù)，其中包括含有驅(qū)動電路設(shè)計方法的應用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市場。

今后，ROHM將繼續(xù)開發(fā)滿足各種需求的低損耗功率元器件，同時，提供設(shè)計工具以及各種解決方案，通過助力應用系統(tǒng)的節(jié)能和小型化為減輕環(huán)境負荷貢獻力量。

新產(chǎn)品RGWxx65C系列的性能（損耗比較）

＜新產(chǎn)品特點＞

●損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67％，為普及中的車載電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備提供更高性價比

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC SBD。與以往使用Si快速恢復二極管（Si-FRD）的IGBT產(chǎn)品相比，成功地大幅降低了開通損耗，在車載充電器應用中損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67％。與通常損耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，損耗也可降低24％。在轉(zhuǎn)換效率方面，新產(chǎn)品可以在更寬的工作頻率范圍確保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作頻率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應用的功耗。

內(nèi)置SiC SBD開通損耗削減效果
新產(chǎn)品RGWxx65C系列的性能（效率比較）

●符合AEC-Q101標準，可在惡劣環(huán)境下使用

新系列產(chǎn)品還符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101”，即使在車載和工業(yè)設(shè)備等嚴苛環(huán)境下也可以安心使用。

＜關(guān)于各種設(shè)計數(shù)據(jù)＞

為了加快本系列產(chǎn)品的應用，在ROHM官網(wǎng)上還免費提供評估和導入本系列新產(chǎn)品所需的豐富設(shè)計數(shù)據(jù)，其中包括含有驅(qū)動電路設(shè)計方法的應用指南和仿真用的模型（SPICE模型）等。如欲了解更多信息，請訪問：

https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw&PS_BuiltInDiode=SiC-SBD

＜Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”產(chǎn)品陣容＞

產(chǎn)品名稱 耐壓
VCES(V) 		連接器電流
IC@100℃
(A) 		開通損耗
VCE(sat)
Typ(V) 		續(xù)流
二極管 		符合AEC-Q101
標準 		封裝
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RGW60TS65CHR 		650 30 1.5 SiC SBD YES TO-247N
TO-247N
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RGW80TS65CHR 		40
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RGW00TS65CHR 		50
☆
RGW40NL65CHRB 		20 TO-263L
(LPDL)
TO-263L(LPDL)
☆
RGW50NL65CHRB 		25
☆
RGW60NL65CHRB 		30

☆：開發(fā)中

封裝采用JEDEC標準，（）內(nèi)表示ROHM封裝。

※除了本系列Hybrid IGBT外，產(chǎn)品陣容中還包括使用Si-FRD作為續(xù)流二極管的產(chǎn)品和無續(xù)流二極管的產(chǎn)品。 如欲了解更多信息，請訪問：

https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw