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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機(jī)驅(qū)動。

近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機(jī)所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。

在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。通過這種組合，使ROHM在支持24V輸入的±40V和±60V耐壓級別擁有了業(yè)界先進(jìn)的Nch+Pch雙極MOSFET產(chǎn)品。此外，為了滿足更廣泛的需求，ROHM還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達(dá)12款。

本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻比普通產(chǎn)品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化，還有助于減少器件選型（Nch和Pch的組合）的時間。

本系列產(chǎn)品已于2021年3月開始暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格 250日元/個，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開始電商銷售，可通過電商平臺Ameya360購買。

今后，ROHM還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設(shè)備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品，以擴(kuò)大本系列產(chǎn)品的陣容，通過降低各種應(yīng)用的功耗和實(shí)現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護(hù)等社會問題。

＜新產(chǎn)品特點(diǎn)＞

1.實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

在ROHM此次開發(fā)的業(yè)界先進(jìn)的雙極MOSFET 中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達(dá)61％，Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達(dá)39％，有助于降低各種設(shè)備的功耗。

2.具備只有雙極MOSFET才有的特點(diǎn)，有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計(jì)周期

通過在一個封裝中內(nèi)置兩枚器件，有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時間。在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新產(chǎn)品（TSMT8），安裝面積可減少75%。

＜與預(yù)驅(qū)動器IC組合，可提供更出色的電機(jī)驅(qū)動解決方案＞

通過將本產(chǎn)品與已具有豐碩實(shí)際應(yīng)用業(yè)績的ROHM單相和三相無刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合，可以進(jìn)一步考慮電機(jī)的小型化、低功耗和靜音驅(qū)動。通過為外圍電路設(shè)計(jì)提供雙極MOSFET系列和預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合的綜合支持，為客戶提供滿足其需求且更出色的電機(jī)驅(qū)動解決方案。

組合示例

• ■QH8MC5（±60V耐壓Nch+Pch雙極MOSFET）和BD63001AMUV（三相無刷電機(jī)預(yù)驅(qū)動器IC）
• ■SH8KB6（+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET）和BM62300MUV（三相無刷電機(jī)預(yù)驅(qū)動器IC）
• ■SH8KB6（+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET）和BD63002AMUV（三相無刷電機(jī)預(yù)驅(qū)動器IC）等

＜產(chǎn)品陣容＞

Nch+Pch雙極MOSFET

產(chǎn)品名稱	極性 (ch)	VDSS (V)	ID (A)	PD (W)	Ron Max(mΩ) *VGS=10V	Data Sheet	Spice Model	封裝名稱
SH8MB5	N+P	40	8.5	2	19.4	?	?	SOP8 (6.0mm×5.0mm×1.75mm)
		-40	-8.5		16.8
SH8MC5		60	6.5		32	?	?
		-60	-7		33
QH8MB5		40	4.5	1.5	44	?	?	TSMT8 (2.8mm×3.0mm×0.8mm)
		-40	-5		41
QH8MC5		60	3		90	?	?
		-60	-3.5		91

Nch+Nch雙極MOSFET

產(chǎn)品名稱	極性 (ch)	VDSS (V)	ID (A)	PD (W)	Ron Max(mΩ) *VGS=10V	Data Sheet	Spice Model	封裝名稱
SH8KB7	N+N	40	13.5	2	8.4	?	?	SOP8 (6.0mm×5.0mm×1.75mm)
SH8KB6			8.5		19.4	?	?
SH8KC7		60	10.5		12.4	?	?
SH8KC6			6.5		32	?	?
QH8KB6		40	8	1.5	17.7	?	?	TSMT8 (2.8mm×3.0mm×0.8mm)
QH8KB5			4.5		44	?	?
QH8KC6		60	5.5		30	?	?
QH8KC5			3		90	?	?