ROHM開(kāi)發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET 非常有助于提高無(wú)線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性！

更新時(shí)間：2022-12-01 | 發(fā)布人：

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無(wú)線耳機(jī)等可聽(tīng)戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

MOSFET

近年來(lái)，隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，電池尺寸的增加，導(dǎo)致元器件的安裝空間越來(lái)越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。

針對(duì)這種需求，開(kāi)發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業(yè)界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的優(yōu)勢(shì)，通過(guò)靈活運(yùn)用其IC工藝，大大降低了在以往分立器件的工藝中會(huì)增加的布線電阻，開(kāi)發(fā)出功率損耗更低的小型功率MOSFET。

新產(chǎn)品采用融入了ROHM自有IC工藝的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)還降低了功耗。與相同封裝的普通產(chǎn)品相比，表示導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間關(guān)系的指標(biāo)（導(dǎo)通電阻*3×Qgd*4）改善了20%左右，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平（1.0mm×0.6mm以下封裝產(chǎn)品比較），非常有助于縮減各種小型設(shè)備電路板上的元器件所占面積并進(jìn)一步提高效率。另外，還采用ROHM自有的封裝結(jié)構(gòu)，使側(cè)壁有絕緣保護(hù)（相同封裝的普通產(chǎn)品沒(méi)有絕緣保護(hù)）。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設(shè)備中，使用這款新產(chǎn)品可降低因元器件之間的接觸而導(dǎo)致短路的風(fēng)險(xiǎn)，從而有助于設(shè)備的安全運(yùn)行。

新產(chǎn)品已于2022年11月開(kāi)始暫以月產(chǎn)1,000萬(wàn)個(gè)（樣品價(jià)格100日元/個(gè)，不含稅）的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷售，通過(guò)Oneyac，Sekorm等電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

ROHM將繼續(xù)開(kāi)發(fā)導(dǎo)通電阻更低、尺寸更小的產(chǎn)品，通過(guò)進(jìn)一步提高各種小型設(shè)備的效率，來(lái)為解決環(huán)保等社會(huì)課題貢獻(xiàn)力量。

功耗比較
 封裝結(jié)構(gòu)比較