600V 超級結(jié)MOSFET PrestoMOS助力變頻空調(diào)節(jié)能 反向恢復(fù)時(shí)間極快且提高設(shè)計(jì)靈活度的“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型登場
＜概要＞
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。
此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨(dú)有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。與IGBT相比，輕負(fù)載時(shí)的功耗成功減少了58%左右。另外，通過提高導(dǎo)通MOSFET所需要的電壓水平，避免發(fā)生造成損耗增加原因之一的誤開啟（Self Turn-on）現(xiàn)象※2）。不僅如此，還通過優(yōu)化內(nèi)置二極管的特性，改善了超級結(jié)MOSFET特有的軟恢復(fù)指數(shù)※3），可減少引發(fā)誤動(dòng)作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優(yōu)化電路時(shí)的障礙，提高設(shè)計(jì)靈活度。
該系列產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)10萬個(gè)的規(guī)模逐步投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格：180日元起，不含稅）。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Korea Corporation（韓國）。另外，該系列產(chǎn)品已于3月起在 AMEYA360、RightIC、SEKORM 這三家網(wǎng)售平臺(tái)開始網(wǎng)售。
＜背景＞
據(jù)了解，在全球的電力需求中，近50%用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)，隨著白色家電在新興國家的普及，電機(jī)驅(qū)動(dòng)帶來的電力消耗量預(yù)計(jì)會(huì)逐年增加。包括空調(diào)和冰箱在內(nèi)，白色家電多使用變頻電路進(jìn)行電機(jī)驅(qū)動(dòng)，而變頻電路的開關(guān)元件一般使用IGBT。但是，近年來在節(jié)能性能需求高漲的大趨勢下，可有效降低設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。
在這種背景下，ROHM于2012年首家實(shí)現(xiàn)以極快反向恢復(fù)特性為特點(diǎn)的功率MOSFET PrestoMOS的量產(chǎn)，由于該系列產(chǎn)品可大大降低應(yīng)用的功耗而受到市場的高度好評。
- 可通過以下網(wǎng)售平臺(tái)購買
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＜什么是PrestoMOS＞
Presto表示“極快”，是源于意大利語的音樂術(shù)語。
通常，MOSFET具有快速開關(guān)以及在低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)勢。例如，用于空調(diào)的情況下，非常有助于穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗。
PrestoMOS正是在低電流范圍實(shí)現(xiàn)低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。
＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞
開關(guān)速度的高速化與誤開啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過調(diào)整柵極電阻來進(jìn)行優(yōu)化。與一般的MOSFET相比，ROHM的R60xxJNx系列已經(jīng)具備了誤開啟現(xiàn)象以及噪聲對策，有助于提高用戶的設(shè)計(jì)靈活度。
1.避免增加損耗的誤開啟對策
本系列產(chǎn)品通過優(yōu)化MOSFET結(jié)構(gòu)上存在的寄生電容，將開關(guān)時(shí)的額外柵極電壓降低了20％。另外，使MOSFET導(dǎo)通所需的閾值電壓（Vth）增加了約1.5倍，是“不易產(chǎn)生誤開啟現(xiàn)象的設(shè)計(jì)”。因此，擴(kuò)大了用戶通過柵極電阻來進(jìn)行損耗調(diào)節(jié)的范圍。
2.改善恢復(fù)特性，減少噪聲干擾。
通常，超級結(jié)MOSFET的內(nèi)置二極管的恢復(fù)特性為硬恢復(fù)。但是，ROHM的R60xxJNx系列，通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的軟恢復(fù)指數(shù)改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr），還成功減少了噪聲干擾。因此，用戶通過柵極電阻調(diào)節(jié)噪音干擾時(shí)變得更加容易。
