ROHM開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級(jí)高效率與軟開(kāi)關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT "RGTV/RGW系列"
＜概要＞
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開(kāi)發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級(jí)低傳導(dǎo)損耗※1）和高速開(kāi)關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2）"RGTV系列（短路耐受能力※3）保持版）"和"RGW系列（高速開(kāi)關(guān)版）"，共21種機(jī)型。這些產(chǎn)品非常適用于UPS（不間斷電源）、焊接機(jī)及功率控制板工業(yè)設(shè)備、空調(diào)、IH（感應(yīng)加熱）等消費(fèi)電子產(chǎn)品的通用變頻器及轉(zhuǎn)換器的功率轉(zhuǎn)換。
此次開(kāi)發(fā)的新系列產(chǎn)品采用薄晶圓技術(shù)及ROHM獨(dú)有結(jié)構(gòu)，在具有權(quán)衡關(guān)系的低導(dǎo)通損耗和高速開(kāi)關(guān)特性方面，獲得了業(yè)界頂級(jí)的性能。例如，在交錯(cuò)式PFC電路中使用時(shí)，與以往產(chǎn)品相比，輕負(fù)載時(shí)效率提升1.2％，重負(fù)載時(shí)效率提升0.3％，有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用的功耗。另外通過(guò)元器件內(nèi)部的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了順暢的軟開(kāi)關(guān)。與同等效率的普通產(chǎn)品相比，成功減少50%電壓過(guò)沖※4），從而減少以往需要用來(lái)對(duì)策的部件數(shù)量，可顯著減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。
本系列產(chǎn)品已于2017年10月開(kāi)始出售樣品（樣品價(jià)格400日元～/個(gè)：不含稅），并于2017年12月開(kāi)始暫以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎株式會(huì)社（日本宮崎縣），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand)（泰國(guó)）。
＜背景＞
近年來(lái)，隨著IoT進(jìn)程帶來(lái)的數(shù)據(jù)量増加，對(duì)數(shù)據(jù)中心高性能化的要求越來(lái)越高。不僅服務(wù)器本身，包括進(jìn)行主體電源穩(wěn)定供給所不可欠缺的UPS等在內(nèi)，系統(tǒng)整體的功耗量顯著增加，進(jìn)一步降低功耗已成為重要課題。
另外，在使用IGBT的大功率應(yīng)用中，為確保設(shè)備的可靠性，必須對(duì)可引發(fā)元器件故障或設(shè)備誤動(dòng)作的開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖采取措施，簡(jiǎn)化需求日益迫切。
＜特長(zhǎng)＞
1．實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)性能
在本新系列產(chǎn)品中，利用薄晶圓技術(shù)使晶圓厚度比以往產(chǎn)品再薄15％，另外采用ROHM獨(dú)創(chuàng)的單元微細(xì)化結(jié)構(gòu)，成功實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通損耗（VCE(sat)＝1.5V）和高速開(kāi)關(guān)特性（tf=30～40ns）。
?
2．實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)，減輕設(shè)備的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)
通過(guò)元器件內(nèi)部?jī)?yōu)化，實(shí)現(xiàn)了ON/OFF順暢切換的軟開(kāi)關(guān)。由此，開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的電壓過(guò)沖與普通產(chǎn)品相比減少了50％，可減少用來(lái)抑制過(guò)沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數(shù)量。使用IGBT時(shí)，應(yīng)用端不再需要以往需要的過(guò)沖對(duì)策，有利于減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。
?
＜產(chǎn)品陣容＞
產(chǎn)品陣容又新增了以"短路耐受能力保持2μs"為特點(diǎn)的RGTV系列和以"高速開(kāi)關(guān)性能"為特點(diǎn)的RGW系列，能夠支持更廣泛的應(yīng)用。
RGTV系列（短路耐受能力保持版）
| TO-247N | TO-3PFM | |||
|---|---|---|---|---|
| IGBT單體 | 內(nèi)置FRD | IGBT單體 | 內(nèi)置FRD | |
| 30A | RGTV60TS65 | RGTV60TS65D | RGTV60TK65 | RGTV60TK65D |
| 50A | RGTV00TS65 | RGTV00TS65D | RGTV00TK65 | RGTV00TK65D |
| 80A | RGTVX6TS65 | ★?RGTVX6TS65D | - | - |
★開(kāi)發(fā)中
RGW系列（高速開(kāi)關(guān)版）
| TO-247N | TO-3PFM | |||
|---|---|---|---|---|
| IGBT單體 | 內(nèi)置FRD | IGBT單體 | 內(nèi)置FRD | |
| 30A | RGW60TS65 | RGW60TS65D | RGW60TK65 | RGW60TK65D |
| 40A | RGW80TS65 | RGW80TS65D | RGW80TK65 | RGW80TK65D |
| 50A | RGW00TS65 | RGW00TS65D | RGW00TK65 | RGW00TK65D |
＜應(yīng)用＞
工業(yè)設(shè)備（UPS（不間斷電源）、焊接機(jī)、功率控制板等）、空調(diào)、IH（感應(yīng)加熱） 等
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
*1) 導(dǎo)通損耗MOSFET和IGBT等晶體管因元器件結(jié)構(gòu)的緣故，在電流流動(dòng)時(shí)發(fā)生電壓下降。導(dǎo)通損耗是因這種元器件的電壓下降而產(chǎn)生的損耗。*2) IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極晶體管）MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性兼?zhèn)涞墓β示w管。*3) 短路耐受能力對(duì)引起元器件損壞的短路（電子電路的2點(diǎn)用低阻值的電阻器連接）的耐受能力。*4) 電壓過(guò)沖開(kāi)關(guān)ON/OFF時(shí)產(chǎn)生超出規(guī)定電壓值的電壓。 電壓值因過(guò)沖而暫時(shí)超出穩(wěn)態(tài)值，之后返回到接近穩(wěn)態(tài)值。
