業(yè)界最快trr性能的600V超級結(jié)MOSFET PrestoMOS 新增更低Ron、更低Qg的"R60xxMNx系列" 有助于變頻空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用顯著節(jié)能
＜概要＞
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的高速trr※1型600V 超級結(jié)MOSFET PrestoMOS※產(chǎn)品群又新增"R60xxMNx系列"，非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET，以業(yè)界最小的開關(guān)損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評。
此次開發(fā)的"R60xxMNx系列"通過優(yōu)化ROHM獨(dú)有的芯片結(jié)構(gòu)，在保持PrestoMOS"高速trr性能"特征的基礎(chǔ)上，還成功地使Ron※2和Qg※3顯著降低。由此，在變頻空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動的應(yīng)用中，輕負(fù)載時的功率損耗與以往的IGBT相比，降低約56%，節(jié)能效果非常明顯。 |
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本系列產(chǎn)品已于2016年12月份開始以月產(chǎn)10萬個規(guī)模投入量產(chǎn)，前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.（韓國）。
今后，ROHM將繼續(xù)開發(fā)凝聚了ROHM模擬設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)勢的高性能、高可靠性產(chǎn)品，不斷為社會的進(jìn)一步節(jié)能貢獻(xiàn)力量。
＜背景＞
近年來，節(jié)能化趨勢日益加速，隨著日本節(jié)能法的修訂，家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實(shí)際使用情況的能效標(biāo)識APF（Annual Performance Factor）※4，不再僅僅關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動時和額定條件下的節(jié)能，要求負(fù)載較小的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時更節(jié)能的趨勢日益高漲。據(jù)稱，在全球的電力需求中，近50%被用于驅(qū)動電機(jī)，隨著空調(diào)在新興國家的普及，全球的電力局勢逐年嚴(yán)峻。在這種背景下，ROHM開發(fā)出PrestoMOS，非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動，可大大降低應(yīng)用正常運(yùn)轉(zhuǎn)時的功耗，滿足了社會的節(jié)能需求。
＜特點(diǎn)＞
1. 業(yè)界最快的trr性能、低Ron、低Qg，有助于應(yīng)用節(jié)能
一般MOSFET具有高速開關(guān)和低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)點(diǎn)，設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時可有效降低功耗。"R60xxMNx系列"利用ROHM獨(dú)有的Lifetime控制技術(shù)，不僅保持了業(yè)界最快trr性能，而且Ron和Qg更低，非常有助于變頻電路的節(jié)能。
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2. 超強(qiáng)短路耐受能力，確保可靠性
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通常，一旦發(fā)生短路，即具有電路誤動作、流過超出設(shè)計(jì)值的大電流、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性。一直以來，因性能與短路之間的制約關(guān)系，確保超強(qiáng)的短路耐受能力是非常困難的，而"R60xxMNx系列"利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢，對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進(jìn)行了優(yōu)化，可確保電機(jī)驅(qū)動所必須的短路耐受能力，有助于提高應(yīng)用的可靠性。 |
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3. 自導(dǎo)通損耗微小
自導(dǎo)通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，高邊主開關(guān)一旦導(dǎo)通，則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加，電壓被柵極感應(yīng)，柵極電壓上升，MOSFET誤動作。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗。而"R60xxMNx系列"通過優(yōu)化寄生電容，可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi)。
＜應(yīng)用＞
空調(diào)、冰箱、工業(yè)設(shè)備（充電站等）
＜產(chǎn)品陣容表＞
| 封裝 | 用途 | 品名 |
極性 (ch) |
VDSS (V) |
ID (A) |
PD?(W) (Tc＝25°C) |
RDS(on)?(Ω) |
Qg Typ. (nC) |
Trr (Typ.) (ns) |
驅(qū)動電壓 (V) |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS＝10V | |||||||||||
| Typ. | Max | VGS＝10V | |||||||||
| R60xxMNx系列 | |||||||||||
| TO-252 | 開關(guān) | R6010MND3 | N | 600 | 10 | 143 | 0.28 | 0.38 | 20 | 80 | 10 |
| ☆R6008MND3 | 600 | 8 | 115 | 0.45 | 0.61 | 13.5 | 65 | ||||
| R6007MND3 | 600 | 7 | 95 | 0.54 | 0.73 | 10 | 60 | ||||
| TO-220FM | R6030MNX | 600 | 30 | 90 | 0.11 | 0.15 | 45 | 90 | |||
| ☆R6020MNX | 600 | 20 | 72 | 0.19 | 0.25 | 30 | 85 | ||||
| TO-3PF | R6047MNZ | 600 | 47 | 102 | 0.06 | 0.081 | 70 | 105 | |||
| TO-247 | R6076MNZ1 | 600 | 76 | 740 | 0.04 | 0.055 | 115 | 135 | |||
| R6047MNZ1 | 600 | 47 | 440 | 0.06 | 0.081 | 70 | 105 | ||||
另外，產(chǎn)品陣容包括下述封裝產(chǎn)品，詳情敬請垂詢。
同時，TO-263(LPTS) 封裝的樣品也準(zhǔn)備了一部分。
＜術(shù)語解說＞
- ※1?trr : 反向恢復(fù)時間
- 開關(guān)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所花的時間。
- ※2?Ron : 導(dǎo)通電阻 (Ω)
- 開關(guān)二極管成為導(dǎo)通狀態(tài)時的電阻值。
- ※3?QG : 柵極輸入電荷量
- MOSFET進(jìn)行ON/OFF切換時，注入柵極電極所需的電荷量。
- ※4?APF (Annual Performance Factor)
- 全年使用家用空調(diào)時的能效比。數(shù)值越大節(jié)能性能越好。
＜PrestoMOS＞
Presto: 源自意大利語，是表示"極快"的音樂術(shù)語。
擁有業(yè)界最快trr性能的ROHM獨(dú)有的功率MOSFET。是實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小開關(guān)損耗的產(chǎn)品。
