適用于車載、工業(yè)設(shè)備的高可靠性DRAM系列(搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能) 產(chǎn)品陣容新增128M/256M bit SDRAM ~同時(shí)降低輻射噪聲與系統(tǒng)成本
ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor,作為高可靠性 DRAM系列產(chǎn)品,新開(kāi)發(fā)出搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM"MD56V72160C"/256M bit SDRAM"MD56V82160A"。本LSI搭載了4級(jí)輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能,可根據(jù)用戶系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動(dòng)能力,降低輻射噪聲,從而可減少噪聲對(duì)策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。另外,引線框架采用焊接連接可靠性更高的銅(Cu)框架,因此,還非常適用于車載設(shè)備等要求高可靠性的用途。本產(chǎn)品的樣品已經(jīng)在售,計(jì)劃從2014年3月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)銷售。
<背景>
在中小容量SDRAM的用途之一車載設(shè)備系統(tǒng)中,工作時(shí)發(fā)生的輻射噪聲會(huì)對(duì)高頻段等產(chǎn)生影響,因此,對(duì)于提升系統(tǒng)品質(zhì)來(lái)說(shuō),降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題,為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲,改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開(kāi)始搭載按3級(jí)改變讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。該功能在車載領(lǐng)域獲得極高好評(píng),為擴(kuò)大在需要更大容量SDRAM的用途中的應(yīng)用范圍,LAPIS Semiconductor開(kāi)發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。
另外,DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展,中小容量SDRAM的供應(yīng)越來(lái)越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統(tǒng)DRAM注1,作為唯一可長(zhǎng)期供貨的日本國(guó)內(nèi)制造商,不僅面向車載用途市場(chǎng),而且面向更廣闊的工業(yè)設(shè)備市場(chǎng),正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。


<新產(chǎn)品詳情> 1.搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能 |
|
為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲,改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,搭載變更讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。通過(guò)擴(kuò)展模式寄存器 配置可設(shè)定4級(jí)驅(qū)動(dòng)能力。 |
|
2.采用銅引線框架 | |
為滿足車載設(shè)備領(lǐng)域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求,本產(chǎn)品采用連接可靠性優(yōu)異的銅(Cu)引線框架。與以往的42合金引線框架相比,其與PCB板的熱膨脹系數(shù)更 相近,因此,提高了焊接連接可靠性,滿足了汽車廠家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹 循環(huán)標(biāo)準(zhǔn)。另外,還同時(shí)抑制了錫晶須不良的發(fā)生。 |
|
3.滿足車載品質(zhì) | |
為實(shí)現(xiàn)高品質(zhì),支持定制符合客戶要求品質(zhì)的測(cè)試工序。 |
|
4.芯片銷售遵循KGD(Known Good Die)保證 | |
從晶圓級(jí)保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì),通過(guò)與客戶的使用方法相匹配的測(cè)試工序,提供高品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。 |
LAPIS Semiconductor今后也會(huì)以不斷推出客戶放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)為目標(biāo),進(jìn)一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2,不斷擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM注1產(chǎn)品的陣容。
【銷售計(jì)劃】 | |||
? | 產(chǎn)品名 | :MD56V72160C / MD56V82160A | |
? | 包裝形態(tài) | :托盤1080個(gè) | |
? | 樣品出售時(shí)間 | :樣品出售中 | |
? | 樣品價(jià)格(參考) |
:MD56V72160C 360日元(不含稅) ??MD56V82160A 520日元(不含稅) |
|
? | 量產(chǎn)出售計(jì)劃 | :2014年3月開(kāi)始 | |
? | 規(guī)格 | :滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格 | |
? | 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) |
:4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C) |
|
? | 地址大小 |
:4,096行 × 512列(MD56V72160C) ? 8,192行 × 512列(MD56V82160A) |
|
? | 工作頻率 | :166MHz(max.) | |
? | 接口 | :LVTTL兼容 | |
? | 功能 | :通用SDRAM指令接口 | |
? | 電源電壓 | :3.3V±0.3V | |
? | 工作溫度范圍 | :0℃ ~ +70℃ / -40℃ ~ +85℃ | |
? | 刷新 | :自動(dòng)刷新時(shí) |
4,096次/64msec(MD56V72160C) 8,192次/64msec(MD56V82160A) |
???自刷新 | |||
? | 消耗電流(Typ.) | :工作時(shí)(166MHz) |
100mA (MD56V72160C) 150mA (MD56V82160A) |
??待機(jī)時(shí)(動(dòng)態(tài)待機(jī)時(shí)) |
50mA (MD56V72160C) 65mA (MD56V82160A) |
||
??關(guān)機(jī)時(shí) | 3mA | ||
? | 封裝 |
:54Pin TSOP ??銅引線框架、滿足RoHS指令、無(wú)鉛、無(wú)鹵 |
<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)> | ||
? | 注1: |
傳統(tǒng)DRAM DRAM市場(chǎng)隨著電腦和手機(jī)的高性能化發(fā)展,主流產(chǎn)品逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榇笕萘?、高速DRAM,中小容量DRAM的供應(yīng)廠家日益減少。然而,消費(fèi)電子設(shè)備和車載設(shè)備等產(chǎn)品中,從噪聲設(shè)計(jì)角度等出發(fā),適用中小容量、中速DRAM的應(yīng)用大量存在。另外,通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等生命周期較長(zhǎng)的產(chǎn)品中,從控制器變更等設(shè)計(jì)變更較難或想控制設(shè)計(jì)變更費(fèi)用等角度出發(fā),存在希望繼續(xù)使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor將這些中小容量DRAM定位為"傳統(tǒng)DRAM",不斷開(kāi)發(fā)滿足車載市場(chǎng)和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)需求的高可靠性新產(chǎn)品,以進(jìn)一步擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)品陣容,為客戶提供長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)。 |
※ 本文所提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱均為各公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。