適用于車載、工業(yè)設(shè)備的高可靠性DRAM系列（搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能） 產(chǎn)品陣容新增128M/256M bit SDRAM ～同時(shí)降低輻射噪聲與系統(tǒng)成本

更新時(shí)間：2014-03-04 | 發(fā)布人：

ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor，作為高可靠性 DRAM系列產(chǎn)品，新開(kāi)發(fā)出搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM"MD56V72160C"/256M bit SDRAM"MD56V82160A"。本LSI搭載了4級(jí)輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)用戶系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動(dòng)能力，降低輻射噪聲，從而可減少噪聲對(duì)策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。另外，引線框架采用焊接連接可靠性更高的銅(Cu)框架，因此，還非常適用于車載設(shè)備等要求高可靠性的用途。本產(chǎn)品的樣品已經(jīng)在售，計(jì)劃從2014年3月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)銷售。

＜背景＞
在中小容量SDRAM的用途之一車載設(shè)備系統(tǒng)中，工作時(shí)發(fā)生的輻射噪聲會(huì)對(duì)高頻段等產(chǎn)生影響，因此，對(duì)于提升系統(tǒng)品質(zhì)來(lái)說(shuō)，降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題，為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性，早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開(kāi)始搭載按3級(jí)改變讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。該功能在車載領(lǐng)域獲得極高好評(píng)，為擴(kuò)大在需要更大容量SDRAM的用途中的應(yīng)用范圍，LAPIS Semiconductor開(kāi)發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。
另外，DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展，中小容量SDRAM的供應(yīng)越來(lái)越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統(tǒng)DRAM注1，作為唯一可長(zhǎng)期供貨的日本國(guó)內(nèi)制造商，不僅面向車載用途市場(chǎng)，而且面向更廣闊的工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)，正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。



＜新產(chǎn)品詳情＞
1．搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能

為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性，搭載變更讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。通過(guò)擴(kuò)展模式寄存器 配置可設(shè)定4級(jí)驅(qū)動(dòng)能力。
本功能有助于實(shí)現(xiàn)適合用戶系統(tǒng)的電流驅(qū)動(dòng)能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對(duì)策 零部件數(shù)量。另外，可按出貨時(shí)固定規(guī)格的驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定供貨，即使使用已有的SDRAM 控制器無(wú)需配置擴(kuò)展模式寄存器，即可使用最佳的輸出驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定的產(chǎn)品。

2．采用銅引線框架

為滿足車載設(shè)備領(lǐng)域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求，本產(chǎn)品采用連接可靠性優(yōu)異的銅(Cu)引線框架。與以往的42合金引線框架相比，其與PCB板的熱膨脹系數(shù)更 相近，因此，提高了焊接連接可靠性，滿足了汽車廠家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹 循環(huán)標(biāo)準(zhǔn)。另外，還同時(shí)抑制了錫晶須不良的發(fā)生。

3．滿足車載品質(zhì)

為實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)，支持定制符合客戶要求品質(zhì)的測(cè)試工序。

4．芯片銷售遵循KGD(Known Good Die)保證

從晶圓級(jí)保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì)，通過(guò)與客戶的使用方法相匹配的測(cè)試工序，提供高品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。

LAPIS Semiconductor今后也會(huì)以不斷推出客戶放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)為目標(biāo)，進(jìn)一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2，不斷擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM注1產(chǎn)品的陣容。

【銷售計(jì)劃】
? 產(chǎn)品名 ：MD56V72160C / MD56V82160A
? 包裝形態(tài) ：托盤1080個(gè)
? 樣品出售時(shí)間 ：樣品出售中
? 樣品價(jià)格（參考） ：MD56V72160C 　360日元（不含稅）　
??MD56V82160A 　520日元（不含稅）
? 量產(chǎn)出售計(jì)劃 ：2014年3月開(kāi)始
? 規(guī)格 ：滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
? 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

：4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)
??4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)

? 地址大小 ：4,096行 × 512列(MD56V72160C)
? 8,192行 × 512列(MD56V82160A)
? 工作頻率 ：166MHz(max.)
? 接口 ：LVTTL兼容
? 功能 ：通用SDRAM指令接口
? 電源電壓 ：3.3V±0.3V
? 工作溫度范圍 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃
? 刷新 ：自動(dòng)刷新時(shí) 4,096次/64msec(MD56V72160C)
8,192次/64msec(MD56V82160A)
???自刷新
? 消耗電流(Typ.) ：工作時(shí)(166MHz) 100mA (MD56V72160C)
150mA (MD56V82160A)
??待機(jī)時(shí)(動(dòng)態(tài)待機(jī)時(shí)) 50mA (MD56V72160C)
65mA (MD56V82160A)
??關(guān)機(jī)時(shí) 3mA
? 封裝 ：54Pin TSOP
??銅引線框架、滿足RoHS指令、無(wú)鉛、無(wú)鹵
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
? 注1： 傳統(tǒng)DRAM
DRAM市場(chǎng)隨著電腦和手機(jī)的高性能化發(fā)展，主流產(chǎn)品逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榇笕萘?、高速DRAM，中小容量DRAM的供應(yīng)廠家日益減少。然而，消費(fèi)電子設(shè)備和車載設(shè)備等產(chǎn)品中，從噪聲設(shè)計(jì)角度等出發(fā)，適用中小容量、中速DRAM的應(yīng)用大量存在。另外，通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等生命周期較長(zhǎng)的產(chǎn)品中，從控制器變更等設(shè)計(jì)變更較難或想控制設(shè)計(jì)變更費(fèi)用等角度出發(fā)，存在希望繼續(xù)使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor將這些中小容量DRAM定位為"傳統(tǒng)DRAM"，不斷開(kāi)發(fā)滿足車載市場(chǎng)和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)需求的高可靠性新產(chǎn)品，以進(jìn)一步擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)品陣容，為客戶提供長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)。

※　本文所提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱均為各公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。