適用于車載、工業(yè)設(shè)備的高可靠性DRAM系列(搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能) 產(chǎn)品陣容新增128M/256M bit SDRAM ~同時(shí)降低輻射噪聲與系統(tǒng)成本

更新時(shí)間:2014-03-04 | 發(fā)布人:

ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor,作為高可靠性 DRAM系列產(chǎn)品,新開(kāi)發(fā)出搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM"MD56V72160C"/256M bit SDRAM"MD56V82160A"。本LSI搭載了4級(jí)輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能,可根據(jù)用戶系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動(dòng)能力,降低輻射噪聲,從而可減少噪聲對(duì)策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。另外,引線框架采用焊接連接可靠性更高的銅(Cu)框架,因此,還非常適用于車載設(shè)備等要求高可靠性的用途。本產(chǎn)品的樣品已經(jīng)在售,計(jì)劃從2014年3月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)銷售。

<背景>
在中小容量SDRAM的用途之一車載設(shè)備系統(tǒng)中,工作時(shí)發(fā)生的輻射噪聲會(huì)對(duì)高頻段等產(chǎn)生影響,因此,對(duì)于提升系統(tǒng)品質(zhì)來(lái)說(shuō),降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題,為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲,改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開(kāi)始搭載按3級(jí)改變讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。該功能在車載領(lǐng)域獲得極高好評(píng),為擴(kuò)大在需要更大容量SDRAM的用途中的應(yīng)用范圍,LAPIS Semiconductor開(kāi)發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。
另外,DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展,中小容量SDRAM的供應(yīng)越來(lái)越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統(tǒng)DRAM注1,作為唯一可長(zhǎng)期供貨的日本國(guó)內(nèi)制造商,不僅面向車載用途市場(chǎng),而且面向更廣闊的工業(yè)設(shè)備市場(chǎng),正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。



<新產(chǎn)品詳情>
1.搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能

為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲,改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,搭載變更讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。通過(guò)擴(kuò)展模式寄存器 配置可設(shè)定4級(jí)驅(qū)動(dòng)能力。
本功能有助于實(shí)現(xiàn)適合用戶系統(tǒng)的電流驅(qū)動(dòng)能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對(duì)策 零部件數(shù)量。另外,可按出貨時(shí)固定規(guī)格的驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定供貨,即使使用已有的SDRAM 控制器無(wú)需配置擴(kuò)展模式寄存器,即可使用最佳的輸出驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定的產(chǎn)品。

2.采用銅引線框架

為滿足車載設(shè)備領(lǐng)域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求,本產(chǎn)品采用連接可靠性優(yōu)異的銅(Cu)引線框架。與以往的42合金引線框架相比,其與PCB板的熱膨脹系數(shù)更 相近,因此,提高了焊接連接可靠性,滿足了汽車廠家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹 循環(huán)標(biāo)準(zhǔn)。另外,還同時(shí)抑制了錫晶須不良的發(fā)生。

3.滿足車載品質(zhì)

為實(shí)現(xiàn)高品質(zhì),支持定制符合客戶要求品質(zhì)的測(cè)試工序。

4.芯片銷售遵循KGD(Known Good Die)保證

從晶圓級(jí)保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì),通過(guò)與客戶的使用方法相匹配的測(cè)試工序,提供高品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。

LAPIS Semiconductor今后也會(huì)以不斷推出客戶放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)為目標(biāo),進(jìn)一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2,不斷擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM注1產(chǎn)品的陣容。

【銷售計(jì)劃】
? 產(chǎn)品名 :MD56V72160C / MD56V82160A
? 包裝形態(tài) :托盤1080個(gè)
? 樣品出售時(shí)間 :樣品出售中
? 樣品價(jià)格(參考) :MD56V72160C  360日元(不含稅) 
??MD56V82160A  520日元(不含稅)
? 量產(chǎn)出售計(jì)劃 :2014年3月開(kāi)始
? 規(guī)格 :滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
? 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

:4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)
??4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)

? 地址大小 :4,096行 × 512列(MD56V72160C)
? 8,192行 × 512列(MD56V82160A)
? 工作頻率 :166MHz(max.)
? 接口 :LVTTL兼容
? 功能 :通用SDRAM指令接口
? 電源電壓 :3.3V±0.3V
? 工作溫度范圍 :0℃ ~ +70℃ / -40℃ ~ +85℃
? 刷新 :自動(dòng)刷新時(shí) 4,096次/64msec(MD56V72160C)
8,192次/64msec(MD56V82160A)
???自刷新
? 消耗電流(Typ.) :工作時(shí)(166MHz) 100mA (MD56V72160C)
150mA (MD56V82160A)
??待機(jī)時(shí)(動(dòng)態(tài)待機(jī)時(shí)) 50mA (MD56V72160C)
65mA (MD56V82160A)
??關(guān)機(jī)時(shí) 3mA
? 封裝 :54Pin TSOP
??銅引線框架、滿足RoHS指令、無(wú)鉛、無(wú)鹵
<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>
? 注1: 傳統(tǒng)DRAM
DRAM市場(chǎng)隨著電腦和手機(jī)的高性能化發(fā)展,主流產(chǎn)品逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榇笕萘?、高速DRAM,中小容量DRAM的供應(yīng)廠家日益減少。然而,消費(fèi)電子設(shè)備和車載設(shè)備等產(chǎn)品中,從噪聲設(shè)計(jì)角度等出發(fā),適用中小容量、中速DRAM的應(yīng)用大量存在。另外,通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等生命周期較長(zhǎng)的產(chǎn)品中,從控制器變更等設(shè)計(jì)變更較難或想控制設(shè)計(jì)變更費(fèi)用等角度出發(fā),存在希望繼續(xù)使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor將這些中小容量DRAM定位為"傳統(tǒng)DRAM",不斷開(kāi)發(fā)滿足車載市場(chǎng)和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)需求的高可靠性新產(chǎn)品,以進(jìn)一步擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)品陣容,為客戶提供長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)。

※ 本文所提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱均為各公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。