羅姆開發(fā)出業(yè)界頂級的超低VF 小型肖特基勢壘二極管 ～小型封裝實現(xiàn)大電流化，有助于智能手機等更加節(jié)省空間～

更新時間：2012-11-01 | 發(fā)布人：

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向智能手機等便攜設(shè)備開發(fā)出業(yè)界頂級的低VF小型肖特基勢壘二極管"RBE系列"。 本產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)500萬個的規(guī)模開始量產(chǎn)，隨著客戶采用的增加，從2012年9月份開始將產(chǎn)能擴充為每月1000萬個。
此次，產(chǎn)品陣容中新增了更加小型的VML2封裝(1.0×0.6mm)。通過這些產(chǎn)品，將非常有助于便攜設(shè)備節(jié)省空間。
生產(chǎn)基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韓國)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞)。

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近年來，智能手機等便攜設(shè)備的多功能化日益加速，對電池的長時間驅(qū)動需求強勁。降低耗電量成為首要課題，電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發(fā)展。為此，電源電路中采用的肖特基勢壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產(chǎn)品。但是，為了降低VF并且實現(xiàn)大電流化，需要增加芯片尺寸，因此很難滿足對"小型"的需求。


＜新製品の詳細(xì)＞

此次羅姆通過優(yōu)化二極管的元件結(jié)構(gòu)，大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產(chǎn)品相比，VF降低了約32%，實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低VF。由此，可以大幅抑制施加正向電流所產(chǎn)生的發(fā)熱，相同封裝也可確保大電流。
另外，由于確保了大電流，可以實現(xiàn)比以往封裝產(chǎn)品更加小型封裝的設(shè)計(在相同額定電流下相比)，最大安裝面積消減了約80%。
羅姆今后會不斷追求更加小型、低VF、大電流化，不斷完善滿足客戶需求的產(chǎn)品陣容。

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＜特點＞

1.小型封裝，確保大電流
業(yè)界頂級的低VF，以小型封裝可確保大電流。 		2.最大可節(jié)約80%的空間
確保大電流，可實現(xiàn)相同尺寸更加小型封裝的設(shè)計。



＜智能手機電路例＞

＜規(guī)格＞

＜術(shù)語解說＞

  1. VF?( Forward Voltage)
    正向電流經(jīng)過時二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。
  2. 平均整流電流(Io)
    指定條件下，正向流動所得到的最大平均電流。

產(chǎn)品信息　?肖特基二極管