采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)，使存在權(quán)衡關(guān)系的VF和IR相比以往產(chǎn)品得到顯著改善 ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列” ～非常適用于汽車LED前照燈等高速開關(guān)應用～
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載設備、工業(yè)設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）“YQ系列”。
二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，其trr比平面結(jié)構(gòu)的要差，因此在用于開關(guān)應用時存在功率損耗增加的課題。針對這種課題，ROHM推出采用自有的溝槽MOS結(jié)構(gòu)、同時改善了存在權(quán)衡關(guān)系的VF和IR、并實現(xiàn)了業(yè)界超快trr的YQ系列產(chǎn)品。
“YQ系列”是繼以往支持各種電路應用的4個SBD系列之后推出的新系列產(chǎn)品，也是ROHM首款采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的二極管。該系列利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設計，實現(xiàn)了業(yè)界超快的trr（15ns），與同樣采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的普通產(chǎn)品相比，trr單項的損耗降低約37%，總開關(guān)損耗降低約26%，因此，有助于降低應用產(chǎn)品的功耗。另外，通過采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)，與以往采用平面結(jié)構(gòu)的SBD相比，正向施加時的損耗VF*2和反向施加時的損耗IR*3均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等正向使用時的功率損耗，還可以降低對于SBD而言最令人擔心的熱失控風險*4。這些優(yōu)勢使得該系列產(chǎn)品非常適用于容易發(fā)熱的車載LED前照燈的驅(qū)動電路、xEV用的DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要進行高速開關(guān)的應用。
新產(chǎn)品從2023年12月起全部投入量產(chǎn)（樣品價格：300日元～/個，不含稅），樣品可通過Ameya360、Sekorm、Right IC等網(wǎng)售平臺購買。今后，ROHM將持續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元器件的品質(zhì)，并繼續(xù)加強別具特色的產(chǎn)品陣容，為應用產(chǎn)品進一步實現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻力量。
＜關(guān)于SBD的溝槽MOS結(jié)構(gòu)＞
溝槽MOS結(jié)構(gòu)是在外延層中形成溝槽（溝槽MOS）并用多晶硅填充的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可以緩和電場集中，從而可以降低外延層的電阻率，在正向施加時VF更低。另外，當反向施加時，可以緩和電場集中現(xiàn)象，從而實現(xiàn)更低的IR。前述的“YQ系列”通過采用這種溝槽MOS結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，VF改善了約7%，IR改善了約82%。另一方面，在普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)中，寄生電容（元器件中的電阻分量）較大，因此trr要比平面結(jié)構(gòu)的差?！癥Q系列”不僅改善了VF和IR，而且還利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設計，實現(xiàn)了約15ns的業(yè)界超快trr。由于可將開關(guān)時的損耗降低約26%，因此非常有助于降低應用產(chǎn)品的功耗。
