ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻 ～非常適用于通信基站和工業(yè)設備等的風扇電機，有助于設備進一步降低功耗和節(jié)省空間～
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業(yè)設備等的風扇電機驅動應用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分為“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”兩個系列，共5款新機型。
近年來，在通信基站和工業(yè)設備領域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉換為48V系統(tǒng)，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻這些設備的風扇電機也使用的是48V系統(tǒng)電源，考慮到電壓波動，起到開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權衡關系的導通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻，是一個很大的挑戰(zhàn)。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節(jié)省空間，對于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。
在這種背景下，ROHM采用新工藝開發(fā)出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通過采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻的新系列產(chǎn)品。
新產(chǎn)品通過采用ROHM新工藝和背面散熱封裝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻（Ron）*3（Nch+Nch產(chǎn)品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與普通的雙MOSFET相比，導通電阻降低達56%，非常有助于進一步降低應用設備的功耗。另外，通過將兩枚芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，有助于應用設備進一步節(jié)省空間。例如HSOP8封裝的產(chǎn)品，如果替換掉兩枚單MOSFET（僅內(nèi)置1枚芯片的TO-252封裝），可以減少77%的安裝面積。
新產(chǎn)品已于2023年7月開始暫以月產(chǎn)100萬個（樣品價格 550日元/個，不含稅）的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售，通過Ameya360電商平臺均可購買。
目前，ROHM正在面向工業(yè)設備領域擴大雙MOSFET的耐壓陣容，同時也在開發(fā)低噪聲產(chǎn)品。未來，將通過持續(xù)助力各種應用產(chǎn)品進一步降低功耗并節(jié)省空間，為解決環(huán)境保護等社會問題不斷貢獻力量。
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